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G. Martines 1
Il BJT (Bipolar Junction Transistor)
Il funzionamento si basa sulla iniezione di cariche minoritarie in una giunzione pn polarizzata inversamente, l’iniezione di carica è controllata dalla corrente nel terminale di base.
La terminologia: ∗ npn o pnp sono sigle con cui si identificano le due
possibili strutture del BJT, caratterizzate dalla presenza di un sottile strato si semiconduttore di tipo diverso fra due strati di semiconduttore dello stesso tipo. Si generano così due giunzioni pn in opposizione.
∗ Emettitore è il terminale che identifica il materiale, fortemente drogato, che inietta i portatori di carica.
∗ Collettore è il terminale che identifica il materiale da cui vengono raccolti i portatori iniettati.
∗ Base è il terminale la cui corrente controlla la corrente del dispositivo ma è anche l’area debolmente drogata, fra i due semiconduttori dello stesso tipo, in cui si genera l’effetto transistore in quanto comune alle due giunzioni.
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G. Martines 2
Struttura e simboli dei BJT
NPN
PNP
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G. Martines 3
Funzionamento del transistore bipolare
Regione attiva diretta: giunzione di emettitore polarizzata direttamente, di collettore inversamente.
Corrente di dispersione ICEO : corrente di saturazione di collettore a base aperta.
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G. Martines 4
Funzionamento del transistore bipolare
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G. Martines 5
Modello equivalente a largo segnale del BJT
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G. Martines 6
Caratteristica di ingresso del BJT a emettitore comune
−= 1T
be
V
V
BSB eII
VT è la tensione equivalente
alla temperatura (≅ 25mV a 17°C, cioè 290°K). La resistenza di ingresso a piccolo segnale:
ie
B
T
QB
BE hI
V
di
dvr ===π
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G. Martines 7
Caratteristiche di trasferimento dei BJT Il BJT in regione attiva funziona come un generatore di corrente controllato in corrente. L’equazione che descrive la trans-caratteristica:
−=== 1T
be
V
V
BSBFEBC eIIhII ββ a largo segnale
bfebc ihii == 0β a piccolo segnale T
C
QBE
C
mV
I
dv
dig ==
a piccolo segnale
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G. Martines 8
Caratteristiche di uscita dei BJT
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G. Martines 9
Modelli equivalente a piccolo segnale del BJT
Le espressioni dei parametri:
ie
B
T hI
Vr ==π
T
C
mV
Ig =
C
CEA
oI
VVr
+=
Nota:
βπ =rgm
ie
m
feh
g
h=
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G. Martines 10
Modello equivalente a piccolo segnale ad alta frequenza del BJT
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G. Martines 11
Risposta in frequenza del BJT
Banda del dispositivo: ( ) ebcbeb rCCf
'''2
1
+≈
πβ
Frequenza di transizione: ( )ebT
E
feTCV
Ifhf
'0 2π
β ≈=
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G. Martines 12
La polarizzazione dei BJT
È un circuito di principio per usare un BJT (npn) come amplificatore di tensione. Si può analizzare ancora con il metodo della retta di carico.
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G. Martines 13
Le regioni operative del BJT
A => regione di saturazione (entrambi le giunzioni polarizzate direttamente) B => corrente massima di collettore C => regione di break down cioè tensione massima collettore-emettitore D => massima dissipazione di potenza (dipende dalla temperatura e dalla resistenza
termica verso l’ambiente). È una iperbole costante== CCE ivP
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G. Martines 14
La scelta del punto di lavoro
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G. Martines 15
Il problema del clipping
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G. Martines 16
Modello equivalente a piccolo segnale dell’amplificatore elementare
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G. Martines 17
Esempi di circuito per la polarizzazione automatica
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G. Martines 18
Circuito di polarizzazione a quattro resistenze con capacità di bypass
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G. Martines 19
Risposta in
frequenza
dello stadio
elementare